推荐资讯

• 
  Infineon英飞凌JANSR2N7626UBN单P沟道抗辐射MOSFET 2024-04-11 09:25:34

  JANSR2N7626UBN单P沟道MOSFET具备抗辐射能力，-60V电压等级，-0.53A输出电流。特性包括单粒子效应强化、快速切换、低总门电荷、CMOS和TTL兼容。适用于负载点转换器、同步整流、配电电路等。产品型号：JANSR2N7626UBN。

• 
  MICRON DDR4 内存 2021-06-04 17:07:48

  MICRON? DDR4内存是全新一代的存储空间标准规范。2011年1月4日，三星电子完成了其在历史上第一款DDR4存储空间，MICRON DDR4和DDR3有三大区别：16位预取机制（DDR3为8位），在同样内核频率下，理论研究速度是DDR3的两倍；传输数据标准规范更加安全可靠，数据安全可靠性进一步提升，工作中电压降为1.2V，更环保节能。