Infineon英飞凌IRF7309TRPBF功率MOSFET
发布时间:2024-08-26 10:02:03 浏览:2315
IRF7309TRPBF是一款由IR公司生产的第五代HEXFET?功率MOSFET,它采用了先进的处理技术,旨在实现超低的导通电阻,从而在单位硅面积上达到尽可能低的电阻值。这款器件具有优越的速度开关性能和强健的设计,使其成为众多应用中的高效设备。
主要特点:
第五代技术:利用最新的技术进步,提供优化的性能。
超低导通电阻:N沟道为0.050Ω,P沟道为0.10Ω,有助于减少功率损耗。
双N沟道和P沟道MOSFET:在一个封装内集成了两种类型的MOSFET,方便设计。
表面贴装:适用于自动化组装,提高生产效率。
提供卷带包装:便于大规模生产中的连续供应。
动态dv/dt等级:能够处理快速的电压变化率,提高系统的稳定性。
快速切换:快速开关特性有助于提高系统效率。
无铅:符合环保标准,减少对环境的影响。
封装类型:
SO-8封装:标准的表面贴装封装,适用于多种电路板设计。
参数:
Parametrics | IRF7309 |
ID (@25°C) max | 4 A ; -3 A |
Moisture Sensitivity Level | 1 |
Ptot (@ TA=25°C) max | 1.4 W |
Package | SO-8 |
Polarity | N+P |
QG (typ @4.5V) | 16.7 nC ; 16.7 nC |
Qgd (typ) | 5.3 nC ; 6 nC |
RDS (on) (@4.5V) max | 80 m? ; 160 m? |
RDS (on) (@10V) max | 50 m? ; 100 m? |
RthJA max | 90 K/W |
Tj max | 150 °C |
VDS max | 30 V ; -30 V |
VGS(th) min | -1 V ; 1 V |
VGS max | 20 V |
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